Методом твердофазной реакции синтезирована новая микроволновая диэлектрическая керамика BaMgP2O7 с низкой диэлектрической проницаемостью и высокой добротностью. Плотная керамика с относительной плотностью 96,8 % была получена при спекании керамики при температуре 850 °С в течение 2 часов. Керамика BaMgP2O7, спеченная при 850 °С в течение 2 ч, обладала хорошими микроволновыми диэлектрическими свойствами: εr = 6,8, Q f = 40,089 ГГц (на 11,7 ГГц) и τf = 40,6 м.д./°C.  1. Введение Быстрое развитие индустрии беспроводной связи создало высокий спрос на разработку микроволновых компонентов. Усовершенствованные материалы подложки для микроволновых интегральных схем требуют низкой диэлектрической проницаемости (εro10) для максимизации скорости распространения сигнала, высокой добротности (Q f) для повышения частотной избирательности и близкого к нулю температурного коэффициента резонансной частоты (τf) для обеспечить стабильность частоты при изменении температуры [1–4]. В настоящее время многие керамики с низким εr, такие как Al2O3, AO–SiO2 (A=Ca, Mg, Zn), MTiO3 (M=Mg, Ca), обладают хорошими диэлектрическими свойствами в микроволновом диапазоне, но высокими температурами спекания, что требует больших затрат энергии. Поэтому необходимо исследование СВЧ-диэлектрической керамики с низкой температурой спекания [5–7]. Пирофосфаты являются стабильными кристаллическими соединениями и, как сообщается, обладают хорошими микроволновыми диэлектрическими свойствами, а также относительно низкой температурой спекания [8-11]. Например, керамика SrZnP2O7, спеченная при 940 °С, имеет свойства εr = 7,02, Q f = 23 000 ГГц и τf = 84,7 м.д./°С [12]. Керамика CaZnP2O7, спеченная при 900 °С, обладает хорошими диэлектрическими свойствами εr=7,56, Qf=63,130, τf=82 м.д./°С [13]. В 1995 году сообщалось о кристаллической структуре BaMgP2O7. Затем Kim [14], Wang [15] и Idrissi [16] et al. сообщили о люминесценции BaMgP2O7:Eu2+, Mn2+ и BaMgP2O7:Eu3+ и инфракрасных спектрах BaMgP2O7. На сегодняшний день нет сообщений о микроволновых диэлектрических свойствах BaMgP2O7. В настоящей работе керамика BaMgP2O7 была приготовлена методом твердофазной реакции. Детально изучены поведение при спекании, микроструктура, микроволновые диэлектрические свойства.  4. Выводы Керамика BaMgP2O7 была синтезирована методом твердофазной реакции. Керамика хорошо спекалась при низкой температуре 850 °С. Керамика BaMgP2O7, спеченная при 850 °C в течение 2 часов, показала хорошие диэлектрические свойства в микроволновом диапазоне: εr=6,8, Qf=40,089 ГГц (11,7 ГГц) и τf=40,6 ppm/°C. Этот материал имел низкую диэлектрическую проницаемость, высокую добротность и средние отрицательные значения τf, что могло быть привлекательным кандидатом в качестве подложки для СВЧ.